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G60N100 60A 1000 V Colector-electrodo y mdash. Mayor emisor Voltaje vceo1000 V Colector-electrodo y mdash. Emisor Voltaje de saturación de 1.5 V Rejilla/emisor Voltaje más grande +/-25 V Colector de corriente continua a 25 C60 un Rejilla y mdash. Corriente de fuga emisor +/-500 nA Disipación de potencia 180 W Temperatura máxima de trabajo + […]
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El 5503 es un transistor usado en multitud de ECU´s Incluye diodo Clamp C-E Encapsulado DPAK SMD
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Vea todos nuestros artículos Transistor Rjh-60f7 Rjh60f7 Rjh60f7bdpq Igbt N 600 V 90A Nuevos -Entrega Inmediata- Código del articulo: 1575
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El transistor MRF151G MACOM Original es un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB. Repuesto para salida de Potencia de transmisores 300W en Frecuencia Modulada (Broadcasting). * Transistor RF Power Field-Effect * MRF151G Marca MACOM * Potencia 300W* N-Channel Broadband MOSFET* Provisto en […]
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Irf 1010 Irf-1010 Irf1010 Transistor Mosfet N 60 V 84a To220 VDD: 60 V ID: 84 A Rds(on) 0.012 Ohm Disipacion de potencia: 200W Encapsulado TO220 El IRF1010 esta hecho con el avanzado proceso HEXFET que permite lograr baja resistencia interna y a su vez trabajar a mayor temperatura sin efecto avalancha. Este componete es […]
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VCE: 40 V IC: 0.80 A ALTA GANANCIA, FT=250MHZ, BAJO RUIDO ENCAPSULADO TO92
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Tipo de transistor LDMOS (doble) Frecuencia 860 MHz Ganancia 22.5 dB Voltaje – Prueba 50V Corriente de prueba 1.4A Alimentación – Salida 90 W Voltaje nominal 110V Paquete / Caja (carcasa) NI-1230 Polaridad del transistor: N-Channel Temperatura de trabajo mínima: – 65 C Temperatura de trabajo máxima: 150 C Estilo de montaje: SMD/SMT Configuración: Dual […]
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