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Irf 1010 Irf-1010 Irf1010 Transistor Mosfet N 60 V 84a To220 VDD: 60 V ID: 84 A Rds(on) 0.012 Ohm Disipacion de potencia: 200W Encapsulado TO220 El IRF1010 esta hecho con el avanzado proceso HEXFET que permite lograr baja resistencia interna y a su vez trabajar a mayor temperatura sin efecto avalancha. Este componete es […]
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VCE: 40 V IC: 0.80 A ALTA GANANCIA, FT=250MHZ, BAJO RUIDO ENCAPSULADO TO92
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Tipo de transistor LDMOS (doble) Frecuencia 860 MHz Ganancia 22.5 dB Voltaje – Prueba 50V Corriente de prueba 1.4A Alimentación – Salida 90 W Voltaje nominal 110V Paquete / Caja (carcasa) NI-1230 Polaridad del transistor: N-Channel Temperatura de trabajo mínima: – 65 C Temperatura de trabajo máxima: 150 C Estilo de montaje: SMD/SMT Configuración: Dual […]
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