Irf 1010 Irf-1010 Irf1010 Transistor Mosfet N 60 V 84a To220

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Descripción

Irf 1010 Irf-1010 Irf1010 Transistor Mosfet N 60 V 84a To220

  • VDD: 60 V
  • ID: 84 A
  • Rds(on) 0.012 Ohm
  • Disipacion de potencia: 200W
  • Encapsulado TO220

El IRF1010 esta hecho con el avanzado proceso HEXFET que permite lograr baja resistencia interna y a su vez trabajar a mayor temperatura sin efecto avalancha. Este componete es ideal para aplicaciones switching y audio.

Información adicional

Peso 0,1 kg
Dimensiones 9 × 5 × 10 cm

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